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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF4393LT1G.
No. Parte Newark26AC2211
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr30V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero30mA
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-3V
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Núm. de Pines3 Pines
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El MMBF4393LT1G es un transistor de conmutación JFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación analógica y chopper.
- Voltaje de fuente-fuente de 30 VCD
- Voltaje de drenaje a compuerta de 30VCD
- Voltaje de fuente-compuerta de 30 VCD
- Corriente de compuerta directa de 50mA
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
30mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-3V
Tipo de Transistor
JFET
Núm. de Pines
3 Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
5mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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