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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF5462
No. Parte Newark58K1875
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr40V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-4mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-16mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta9V
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalCanal P
No. de Pines3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Resumen del producto
El MMBF5462 es un JFET de canal P diseñado principalmente para audio de bajo nivel y aplicaciones de propósito general con fuentes de señal de alta impedancia.
- Voltaje de drenaje a fuente de -40V
- Voltaje de compuerta a fuente de 40V
- Corriente de compuerta directa de 10 mA
Aplicaciones
Industrial, Audio, Administración de Potencia
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-4mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
9V
Tipo de Transistor
JFET
No. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
40V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-16mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Tipo de Canal
Canal P
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto