Imprimir página
MMBFJ177LT1G
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
29,169 En Stock
3,000 Puede reservar stock ahora
2 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
29167 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.327 |
| 25+ | $0.236 |
| 50+ | $0.236 |
| 100+ | $0.235 |
| 250+ | $0.213 |
| 500+ | $0.191 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.33
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ177LT1G
No. Parte Newark45J1518
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30V
Voltaje de Ruptura Vbr30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-20mA
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-1.5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta2.5V
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
No. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal P
Montaje de TransistorMontaje Superficial
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El MMBFJ177LT1G es un JFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación analógica y chopper. El bajo RDS (ENCENDIDO) proporciona una mayor eficiencia y extiende la vida útil de la batería. El dispositivo está encapsulado en un paquete de montaje en superficie que ahorra espacio en la tarjeta.
- Voltaje de drenaje a fuente de -25V
- Voltaje de compuerta a fuente de 25V
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-20mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
2.5V
Tipo de Transistor
JFET
No. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Ruptura Vbr
30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-1.5mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Tipo de Canal
Canal P
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ177LT1G
2 productos encontrados
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto