Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
470 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD | 
|---|---|
| 1+ | $0.332 | 
| 25+ | $0.237 | 
| 50+ | $0.234 | 
| 100+ | $0.229 | 
| 250+ | $0.208 | 
| 500+ | $0.186 | 
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.33
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ177LT1G
No. Parte Newark45J1518
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr30V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-20mA
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-1.5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta2.5V
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
No. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal P
Montaje de TransistorMontaje Superficial
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El MMBFJ177LT1G es un JFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación analógica y chopper. El bajo RDS (ENCENDIDO) proporciona una mayor eficiencia y extiende la vida útil de la batería. El dispositivo está encapsulado en un paquete de montaje en superficie que ahorra espacio en la tarjeta.
- Voltaje de drenaje a fuente de -25V
- Voltaje de compuerta a fuente de 25V
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-20mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
2.5V
Tipo de Transistor
JFET
No. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-1.5mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Tipo de Canal
Canal P
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ177LT1G
2 productos encontrados
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto