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MMBFJ202
JFET Transistor, JFET, JFET, -40 V, 900 A, 4.5 mA, -4 V, SOT-23 RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.487 |
| 10+ | $0.317 |
| 25+ | $0.270 |
| 50+ | $0.222 |
| 100+ | $0.175 |
| 250+ | $0.172 |
| 500+ | $0.168 |
| 1000+ | $0.153 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ202
No. Parte Newark31Y2736
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr0
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-40V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero4.5mA
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-4V
Diseño de TransistorSOT-23
Núm. de Pines3 Pin
Tipo de Transistor0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Conforme a RoHS Ftalatos0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
4.5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-4V
Núm. de Pines
3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
-
Conforme a RoHS Ftalatos
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Tipo de Transistor
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ202
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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