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MMBFU310LT1G
JFET Transistor, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFU310LT1G
No. Parte Newark58M9124
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr0
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero60mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta6V
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pin
Tipo de Transistor0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
6V
No. de Pines
3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
25V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
60mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Tipo de Transistor
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBFU310LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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