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MMBT3904TT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-416
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT3904TT1G
No. Parte Newark88H4787
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT3904TT1G
No. Parte Newark88H4787
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo40V
Voltaje Máx. Colector a Emisor40V
Corriente de Colector Continua200mA
Disipación de Potencia Pd300mW
Disipación de Potencia300mW
Corriente de Colector DC200mA
Ganancia de Corriente DC hFE30hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorSOT-416
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición300MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.30hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
CalificaciónAEC-Q101
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El MMBT3904TT1G es un transistor de uso general, montaje en superficie y silicio NPN.
- El voltaje de ruptura colector-emisor es de 40VCD mín. (TA = 25 °C, IC = 1.0mAdc, IB = 0)
- El voltaje de ruptura de la base del colector es de 60VCD mín. (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25 °C)
- El voltaje de ruptura de la base del emisor es de 6.0VCD mín. (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25 °C)
- La corriente del colector: continua es de 200mAdc máx. (TA = 25 °C)
- La tarjeta FR-5 de disipación total del dispositivo es de 200 mW máx. (TA = 25 °C)
- La resistencia térmica entre la unión y el ambiente es de 600°C/W máx. (TA = 25 °C)
- La frecuencia de corte es 100mHz mín. (IC = -100 mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25 °C)
- La cifra de ruido es de 5.0dB máx. (VCE = 5.0VCD, IC = 100ADC, RS = 1.0 kohm, f = 1.0KHz)
- Encapsulado SOT-416
- Rango de temperatura de unión de -65 a +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40V
Disipación de Potencia Pd
300mW
Corriente de Colector DC
200mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
30hFE
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
40V
Corriente de Colector Continua
200mA
Disipación de Potencia
300mW
Ganancia de Corriente DC hFE
30hFE
Diseño de Transistor
SOT-416
Frecuencia de Transición
300MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
Serie MMBTxxxx
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza MMBT3904TT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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