Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT5089LT1G
No. Parte Newark98H0755
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Hoja de datos técnicos
29,540 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.032 |
50+ | $0.032 |
100+ | $0.032 |
250+ | $0.032 |
500+ | $0.032 |
1000+ | $0.032 |
2500+ | $0.030 |
5000+ | $0.030 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.03
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT5089LT1G
No. Parte Newark98H0755
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo25V
Voltaje Máx. Colector a Emisor25
Corriente del Colector Continua50
Disipación de Potencia Pd225mW
Disipación de Potencia225
Corriente de Colector DC50mA
Ganancia de Corriente DC hFE1200hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-23
Frecuencia de Transición50
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.1200
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El MMBT5089LT1G es un transistor bipolar NPN diseñado para aplicaciones de amplificador de propósito general de alta ganancia y bajo ruido. El dispositivo se encuentra en el paquete que está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie de menor potencia.
- Bajo RDS (ENCENDIDO) proporciona mayor eficiencia y extiende la vida útil de la batería
- Ahorra espacio de tarjeta
- Calificado para AEC-Q101 y capacidad para PPAP
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25
Disipación de Potencia Pd
225mW
Corriente de Colector DC
50mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
1200
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
25V
Corriente del Colector Continua
50
Disipación de Potencia
225
Ganancia de Corriente DC hFE
1200hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie MMBTxxxx
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBT5089LT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto