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MMBT5401LT3G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT5401LT3G
No. Parte Newark81Y6809
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo150V
Voltaje Máx. Colector a Emisor150
Corriente del Colector Continua500
Corriente de Colector DC500mA
Disipación de Potencia Pd225mW
Disipación de Potencia225
Diseño de TransistorSOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE50hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición300
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza MMBT5401LT3G
5 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
150
Corriente de Colector DC
500mA
Disipación de Potencia
225
Ganancia de Corriente DC hFE
50hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
150V
Corriente del Colector Continua
500
Disipación de Potencia Pd
225mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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