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MMBT6427LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 40 V, 225 mW, 500 mA, 200 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT6427LT1G
No. Parte Newark58M9158
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Corriente del Colector Continua0
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia0
No. de Pines3Pines
Diseño de Transistor0
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Frecuencia de Transición
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
0
Disipación de Potencia
0
Diseño de Transistor
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBT6427LT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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