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MMBT6520LT1G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT6520LT1G.
No. Parte Newark26AC2264
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT6520LT1G.
No. Parte Newark26AC2264
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo350V
Voltaje Máx. Colector a Emisor350V
Corriente del Colector Continua500mA
Disipación de Potencia300mW
Disipación de Potencia Pd300mW
Corriente de Colector DC500mA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición200MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
CalificaciónAEC-Q101
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
350V
Disipación de Potencia
300mW
Corriente de Colector DC
500mA
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40hFE
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
350V
Corriente del Colector Continua
500mA
Disipación de Potencia Pd
300mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Frecuencia de Transición
200MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
Serie MMBTxxxx
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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