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MMBTH81
Bipolar - RF Transistor, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, 60 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBTH81
No. Parte Newark58M9140
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor20V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Frecuencia de Transición600MHz
Disipación de Potencia225mW
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua-50mA
Ganancia de Corriente DC hFE0
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3Pines
Encapsulado de Transistor RF0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
225mW
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
20V
Frecuencia de Transición
600MHz
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente del Colector Continua
-50mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Encapsulado de Transistor RF
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBTH81
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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