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MPF102_D27Z
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 20 mA, -8 V, TO-92, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMPF102_D27Z
No. Parte Newark78K6093
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-25V
Voltaje de Ruptura Vbr-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula2mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero20mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-8V
Diseño de TransistorTO-92
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalCanal N
Núm. de Pines3 Pines
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
2mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-8V
Tipo de Transistor
JFET
Núm. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Ruptura Vbr
-25V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
20mA
Diseño de Transistor
TO-92
Tipo de Canal
Canal N
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto