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MUN5211T1G
TRANSISTOR, RF, NPN, 50V, SOT-323-3
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $0.112 |
| 25+ | $0.098 |
| 50+ | $0.085 |
| 100+ | $0.071 |
| 250+ | $0.063 |
| 500+ | $0.054 |
| 1000+ | $0.049 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMUN5211T1G
No. Parte Newark47AC1523
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadSingle NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R110kohm
Resistencia R2 Base Emisor10kohm
Diseño de TransistorSOT-323
No. de Pines3 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia310mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.35hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Single NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
10kohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
10kohm
No. de Pines
3 Pin
Disipación de Potencia
310mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
35hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MUN5211T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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