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MUN5230DW1T1G.
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, NPN Doble, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMUN5230DW1T1G.
No. Parte Newark27AC9493
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN Doble
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R11kohm
Resistencia R2 Base Emisor1kohm
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia385mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.3hFE
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN Doble
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
1kohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia
385mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
3hFE
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
1kohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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