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MUN5330DW1T1G.
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, Complemento NPN y PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 kohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMUN5330DW1T1G.
No. Parte Newark27AC9496
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadComplemento NPN y PNP
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua100
Resitencia Básica de Entrada R11
Resistencia R2 Base Emisor1
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia385
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.3
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (14-Jun-2023)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Complemento NPN y PNP
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50
Resitencia Básica de Entrada R1
1
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia
385
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
3
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (14-Jun-2023)
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50
Corriente del Colector Continua
100
Resistencia R2 Base Emisor
1
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (14-Jun-2023)
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