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NDC7001C
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDC7001C
No. Parte Newark58K9473
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N50
Intensidad Drenador Continua Id510mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P50
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N340
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P340
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N700
Disipación de Potencia de Canal P700
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El NDC7001C es un FET de modo de mejora de doble canal N/P producido utilizando alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad ha sido diseñado para minimizar la resistencia del estado ON, proporcionar un rendimiento robusto y confiable y una conmutación rápida. Este dispositivo es particularmente adecuado para aplicaciones de fuente de alimentación y conmutación de baja tensión y baja corriente.
- Corriente de saturación alta
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Diseño con marco de plomo de cobre para capacidades térmicas y eléctricas superiores
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
510mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
50
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
340
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
700
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
50
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
340
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
700
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDC7001C
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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