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NDC7002N
MOSFET Dual, Canal N, 50 V, 510 mA, 2 ohm
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.162 |
| 6000+ | $0.155 |
| 12000+ | $0.135 |
| 18000+ | $0.133 |
| 30000+ | $0.130 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$486.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDC7002N
No. Parte Newark67R2122
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N50V
Intensidad Drenador Continua Id510mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N510mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N700mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El NDC7002N es un FET de modo de mejora de canal N dual producido con alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad ha sido diseñado para minimizar la resistencia del estado ON, proporcionar un rendimiento robusto y confiable y una conmutación rápida. Este dispositivo es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje que requieren un interruptor lateral alto de baja corriente.
- Corriente de saturación alta
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Diseño con marco de plomo de cobre para capacidades térmicas y eléctricas superiores
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
510mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
50V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
510mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2ohm
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
700mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDC7002N
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto