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NDP6060L
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $2.460 |
| 25+ | $2.440 |
| 50+ | $2.420 |
| 100+ | $2.400 |
| 250+ | $2.370 |
| 500+ | $2.330 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDP6060L
No. Parte Newark26M1838
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id48
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia100
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
48
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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