NDS355AN
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 1.7 A, 85 mohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
Resumen del producto
El NDS355AN es un Power FET de modo de mejora de nivel lógico de canal N SuperSOT™ -3 producido utilizando tecnología DMOS de alta densidad de celda. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ON. Es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje en tarjetas PCMCIA, otros circuitos alimentados por batería donde se necesita una conmutación rápida y baja pérdida de energía en línea en un paquete de montaje en superficie de contorno muy pequeño. Viene con un paquete de montaje en superficie de contorno estándar de la industria que utiliza el diseño patentado SuperSOT™-3 para capacidades térmicas y eléctricas superiores.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Excepcional resistencia de encendido y capacidad máxima de corriente CD
Especificaciones técnicas
Canal N
30
85
Montaje Superficial
10
SuperSOT
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Canal N
1.7
0.065ohm
500mW
1.6
500
150
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDS355AN
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto