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NDS9948
MOSFET Dual, Doble Canal P, 60 V, 2.3 A
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDS9948
No. Parte Newark78R4058
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Hoja de datos técnicos
2,369 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.280 |
| 10+ | $0.839 |
| 25+ | $0.754 |
| 50+ | $0.671 |
| 100+ | $0.586 |
| 250+ | $0.532 |
| 500+ | $0.477 |
| 1000+ | $0.442 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.391 |
| 5000+ | $0.384 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDS9948
No. Parte Newark78R4058
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal P
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Resistencia de Activación Rds(on)0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.3
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente0
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Montaje de Transistor0
Disipación de Potencia Pd0
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.25
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Conforme a RoHS Ftalatos0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.3
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
0
Montaje de Transistor
0
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.25
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Conforme a RoHS Ftalatos
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDS9948
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto