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NDTL03N150CG
MOSFET de Potencia, Canal N, 1.5 kV, 2.5 A, 8 ohm, TO-3P, Agujero Pasante
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 103 semana(s)
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDTL03N150CG
No. Parte Newark11X3629
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.5
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-3P
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
140W
Diseño de Transistor
TO-3P
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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