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NJVMJB44H11T4G
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 80V, TO-263
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNJVMJB44H11T4G
No. Parte Newark14AC4726
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua10A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia2W
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición50MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40hFE
Ganancia de Corriente DC hFE0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Corriente del Colector Continua
10A
Disipación de Potencia
2W
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
50MHz
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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