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NJW3281G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNJW3281G
No. Parte Newark89M5494
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo250V
Voltaje Máx. Colector a Emisor250
Corriente del Colector Continua15
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd200W
Corriente de Colector DC15A
Ganancia de Corriente DC hFE45hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-3P
Frecuencia de Transición30
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.45
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
NJW3281G is a complementary NPN Silicon power bipolar transistor for high power audio, disk head positioners, and other linear applications. Application includes home amplifiers, home receivers (high−end consumer audio products), theatre and stadium sound systems, public address systems (PAs) (professional audio amplifiers).
- Exceptional safe operating area, NPN gain matching within 10% from 50mA to 5A
- Excellent gain linearity, high BVCEO, high frequency, greater dynamic range
- Reliable performance at higher powers, accurate reproduction of I/P signal, high amplifier bandwidth
- Symmetrical characteristics in complementary configurations
- DC current gain is 75 (IC = 100mAdc, VCE = 5Vdc)
- Collector−emitter sustaining voltage is 250VDC min (TC = 25°C, IC = 100mAdc, IB = 0)
- Collector−emitter voltage is 250VDC (1.5V, TC = 25°C), collector−base voltage is 250VDC (TC = 25°C)
- Collector cutoff current is 50µAdc at (VCB = 250 Vdc, IE = 0)
- Current gain bandwidth product is 30MHz typ (IC = 1ADC, VCE = 5VDC, ftest = 1MHz)
- TO−3P package, operating temperature range from -65 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
250
Disipación de Potencia
200
Corriente de Colector DC
15A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-3P
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
45
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
250V
Corriente del Colector Continua
15
Disipación de Potencia Pd
200W
Ganancia de Corriente DC hFE
45hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NJW3281G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto