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NSB1706DMW5T1G
TRANSISTOR, AEC-Q101, DUAL NPN, SOT-353
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSB1706DMW5T1G
No. Parte Newark14AC4753
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadDual NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R14.7kohm
Resistencia R2 Base Emisor47kohm
Diseño de TransistorSOT-353
No. de Pines5 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia385mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Dual NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
4.7kohm
Diseño de Transistor
SOT-353
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
47kohm
No. de Pines
5 Pin
Disipación de Potencia
385mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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