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NSS12201LT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSS12201LT1G
No. Parte Newark82Y7093
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor12
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua2
Disipación de Potencia540
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.200
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
540
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
200
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12
Corriente del Colector Continua
2
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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