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NSS20200LT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSS20200LT1G
No. Parte Newark64AH1444
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor20
Corriente del Colector Continua2
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia710
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición100
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.250
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
20
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
250
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
2
Disipación de Potencia
710
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
100
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
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Legislación y medioambiente
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RoHS
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