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NSVJ3910SB3T1G
Transistor JFET, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSVJ3910SB3T1G
No. Parte Newark07AH4423
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-25V
Voltaje de Ruptura Vbr0
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero40mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-1.8V
Diseño de TransistorCPH
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de Transistor0
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-1.8V
Núm. de Pines
3 Pines
Tipo de Transistor
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
40mA
Diseño de Transistor
CPH
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NSVJ3910SB3T1G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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