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NSVMUN5111DW1T3G.
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, PNP Doble, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSVMUN5111DW1T3G.
No. Parte Newark61AC1135
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP Doble
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor-
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua100
Resitencia Básica de Entrada R110
Resistencia R2 Base Emisor10
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia385
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.35
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP Doble
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50
Resitencia Básica de Entrada R1
10
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia
385
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
35
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
-
Corriente del Colector Continua
100
Resistencia R2 Base Emisor
10
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidad del producto