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NTA4001NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 238 mA, 3 ohm, SC-75, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 9000+ | $0.051 |
| 15000+ | $0.048 |
| 24000+ | $0.044 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTA4001NT1G
No. Parte Newark45J2081
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id238
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorSC-75
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
300mW
Diseño de Transistor
SC-75
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
238
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NTA4001NT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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