Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
16,767 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.030 |
50+ | $0.030 |
100+ | $0.030 |
250+ | $0.030 |
500+ | $0.030 |
1000+ | $0.030 |
2500+ | $0.030 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.03
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTA7002NT1G
No. Parte Newark10N9709
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id154
Resistencia de Activación Rds(on)7ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd300mW
Diseño de TransistorSC-75
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El NTA7002NT1G es un MOSFET de señal pequeña de canal N que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de 30V y una corriente de drenaje continua de 154mA. Es adecuado para usar en interruptores de carga de administración de energía, cambio de nivel, aplicaciones portátiles como teléfonos celulares, reproductores multimedia, cámaras digitales, PDA, videojuegos y computadoras de mano.
- Carga de puerta baja para una conmutación rápida
- Puerta protegida ESD
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
7ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
154
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SC-75
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NTA7002NT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto