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NTBG014N120M3P
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG014N120M3P
No. Parte Newark65AK6014
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
663 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $42.210 |
| 10+ | $35.880 |
| 25+ | $35.830 |
| 50+ | $35.780 |
| 100+ | $35.740 |
| 250+ | $34.990 |
| 500+ | $34.250 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG014N120M3P
No. Parte Newark65AK6014
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id104A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.63V
Disipación de Potencia227W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
104A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.63V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
227W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto