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NTBG020N090SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG020N090SC1
No. Parte Newark91AH8443
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
64 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $23.560 |
| 10+ | $22.790 |
| 25+ | $22.550 |
| 50+ | $22.290 |
| 100+ | $22.040 |
| 250+ | $20.560 |
| 500+ | $19.080 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG020N090SC1
No. Parte Newark91AH8443
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id112
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia477
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
NTBG020N090SC1 is an EliteSiC silicon carbide (SiC) MOSFET that uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Applications include DC-DC converter, boost inverter, UPS.
- Low RDSon, ultra low gate charge (Qg tot), low output capacitance (Coss)
- 100% UIL tested
- Drain to source breakdown voltage is 900V min at VGS = 0V, ID = 1mA, TJ = 25°C
- Zero gate voltage drain current is 100µA max at VGS = 0V, TJ = 25°C
- Gate threshold voltage is 2.6V typ at VGS = VDS, ID = 20mA, TJ = 25°C
- Drain to source on resistance is 20mohm typ at VGS = 15V, ID = 60A, TJ = 25°C
- Total gate charge is 200nC typ at VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, TJ = 25°C
- 52ns rise time/13ns fall time at VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2.5ohm, inductive load
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- D2PAK-7L package
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
112
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
477
Rango de Producto
EliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto