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NTBG040N120M3S
MOSFET de carburo de silicio, Canal N, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG040N120M3S
No. Parte Newark57AK6406
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
160 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.860 |
| 10+ | $7.810 |
| 25+ | $7.370 |
| 50+ | $6.920 |
| 100+ | $6.480 |
| 250+ | $6.270 |
| 500+ | $6.050 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG040N120M3S
No. Parte Newark57AK6406
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFET-
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id51
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.052
Diseño de TransistorD2PAK-7L
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4
Disipación de Potencia329
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
-
Intensidad Drenador Continua Id
51
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.052
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
D2PAK-7L
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
329
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto