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NTBG070N120M3S
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 37A, D2PAK-7L ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG070N120M3S
No. Parte Newark80AK5049
Rango de ProductoEliteSiC Series
1,262 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.220 |
| 10+ | $8.480 |
| 25+ | $8.140 |
| 50+ | $7.520 |
| 100+ | $7.060 |
| 250+ | $6.540 |
| 500+ | $6.310 |
| 1600+ | $6.050 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG070N120M3S
No. Parte Newark80AK5049
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de Módulo MOSFET-
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id37A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.091ohm
Diseño de TransistorD2PAK-7L
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4V
Disipación de Potencia252W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
-
Intensidad Drenador Continua Id
37A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.091ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
D2PAK-7L
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
252W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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