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NTBG070N120M3S
MOSFET de carburo de silicio, Canal N, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG070N120M3S
No. Parte Newark80AK5049
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
1,462 En Stock
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1262 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.680 |
| 10+ | $7.900 |
| 25+ | $7.450 |
| 50+ | $7.010 |
| 100+ | $6.560 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.68
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG070N120M3S
No. Parte Newark80AK5049
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFET-
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id37
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.091
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4
Disipación de Potencia252
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
-
Intensidad Drenador Continua Id
37
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.091
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
252
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto