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NTD25P03LT4G.
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 25 A, 0.056 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD25P03LT4G.
No. Parte Newark26AC2745
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056
Resistencia de Activación Rds(on)0.056ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd75W
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia75
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
75W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.056ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
75
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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