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NTGS4111PT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGS4111PT1G
No. Parte Newark10N9575
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id4.7A
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd1.25W
Diseño de TransistorTSOP
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza NTGS4111PT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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