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NTH4L025N065SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L025N065SC1
No. Parte Newark47AK6050
Rango de ProductoEliteSiC Series
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
80 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $21.180 |
| 10+ | $15.340 |
| 25+ | $15.240 |
| 60+ | $15.160 |
| 120+ | $15.060 |
| 270+ | $14.980 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L025N065SC1
No. Parte Newark47AK6050
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id99
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia348
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
99
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
348
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto