Imprimir página
NTH4L032N065M3S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 50 A, 650 V, 44 mohm, TO-247
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L032N065M3S
No. Parte Newark20AM4396
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
50 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $13.120 |
| 10+ | $10.600 |
| 25+ | $10.270 |
| 50+ | $9.950 |
| 100+ | $9.620 |
| 250+ | $9.280 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$13.12
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L032N065M3S
No. Parte Newark20AM4396
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id50
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente44
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia187
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
NTH4L032N065M3S is a 650V M3S planar SiC MOSFET in a 4 pin TO-247 package. It is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive. Typical applications include SMPS, solar inverters, UPS, energy storages, EV charging infrastructure.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 50A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 114pF)
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
44
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
187
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto