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NTHL080N120SC1A
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHL080N120SC1A
No. Parte Newark91AH8487
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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| 25+ | $7.420 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHL080N120SC1A
No. Parte Newark91AH8487
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id31A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia178W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
NTHL080N120SC1A is an EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, silicon carbide (SiC) MOSFET. The applications include a UPS, DC-DC converter, and boost inverter.
- 100% UIL tested
- Drain-to-source on resistance is 80mohm typ (VGS = 20 V, ID = 20 A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 56nC typ (VGS = -5/20V, VDS = 600V, ID = 20A)
- Output capacitance is 80pF typ (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain-to-source diode forward current is 18A max (VGS = -5V, TJ = 25°C)
- Power dissipation is 178W (TC = 25°C), pulsed drain current is 132A (TA = 25°C)
- Gate resistance is 1.7ohm typ (f = 1MHz)
- Turn-on delay time is 13ns typ (VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 20A, RG = 4.7, inductive load)
- Total switching loss is 311µJ typ (VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 20A, RG = 4.7, inductive load)
- TO-247-3LD package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
31A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
178W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto