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NTJD4105CT1G
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJD4105CT1G
No. Parte Newark83H7835
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id630mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N630mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P630mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.29ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.29ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N270mW
Disipación de Potencia de Canal P270mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El NTJD4105CT1G es un MOSFET de pequeña señal de canal P y N de -8/20 V diseñado con bajo RDS (encendido) para un espacio mínimo y una mayor eficiencia del circuito. El bajo rendimiento de RDS (encendido) es especialmente adecuado para dispositivos alimentados por batería de iones de litio de una o dos celdas, como teléfonos móviles, reproductores multimedia, cámaras digitales y PDA.
- Dispositivo complementario de canal N y P
- Trinchera líder de -8 V para bajo rendimiento de RDS (encendido)
- Puerta protegida contra ESD - clasificación ESD de clase 1
- Resistencia térmica 460°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
630mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
630mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.29ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
270mW
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
630mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.29ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
270mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NTJD4105CT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto