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NTJD4105CT2G
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJD4105CT2G
No. Parte Newark13AC3885
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N630
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P630
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.29
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.29
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N270
Disipación de Potencia de Canal P270
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza NTJD4105CT2G
2 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
630
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.29
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
270
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
630
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.29
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
270
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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