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NTMFS10N3D2C
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 151 A, 0.0032 ohm, Power 56, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS10N3D2C
No. Parte Newark22AC8495
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS10N3D2C
No. Parte Newark22AC8495
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id151
Resistencia de Activación Rds(on)0.0024ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0032ohm
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd138W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2
Disipación de Potencia138
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza NTMFS10N3D2C
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0024ohm
Diseño de Transistor
Power 56
Disipación de Potencia Pd
138W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
151
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0032ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
138
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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