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NTMFS4852NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 25 A, 0.0016 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 103 semana(s)
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS4852NT1G
No. Parte Newark63R4582
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0016
Resistencia de Activación Rds(on)0.0016ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd86.2W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia86.2
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El NTMFS4852NT1G es un MOSFET de potencia de canal N que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de 30 V y una corriente de drenaje continuo de 25A. Es adecuado para la entrega de energía de la CPU, convertidores de CD a CD y aplicaciones de conmutación de lado bajo.
- Bajo RDS (ON) para minimizar las pérdidas de conducción
- Baja capacitancia para minimizar las pérdidas del controlador.
- Carga de puerta optimizada para minimizar las pérdidas de conmutación
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0016
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
86.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0016ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
86.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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