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NTMFS4899NFT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 75 A, 0.005 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS4899NFT1G
No. Parte Newark78R7502
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N + Schottky
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id75A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.005ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.005ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd48W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia48W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N + Schottky
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.005ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
75A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.005ohm
Disipación de Potencia Pd
48W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Disipación de Potencia
48W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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