Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 9 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1500+ | $1.400 |
| 3000+ | $1.390 |
| 6000+ | $1.390 |
| 9000+ | $1.380 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 1500
Múltiple: 1500
$2,100.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS5H600NLT1G
No. Parte Newark31AC1058
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id250
Resistencia de Activación Rds(on)0.0011ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0011
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia Pd160W
Disipación de Potencia160
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
- MOSFET de potencia de canal N único
- Tamaño reducido para un diseño compacto
- RDS bajo (activado) para minimizar las pérdidas de conducción
- Bajo QG y capacitancia para minimizar las pérdidas del conductor.
- Desempeño de conmutación mejorado
- Aplicaciones: módulos de punto de carga, convertidores DC-DC de alto rendimiento, Syn. secundario rectificación
- Productos finales: netcom, telecomunicaciones, servidor, adaptador de CA y herramientas eléctricas portátiles
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0011ohm
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
160W
No. de Pines
5Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0011
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
160
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTMFS5H600NLT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto