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NTMFS6B03NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 132 A, 0.0048 ohm, DFN, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS6B03NT1G
No. Parte Newark45Y4124
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id132
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0048
Resistencia de Activación Rds(on)0.0038ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd165W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorDFN
Disipación de Potencia165
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0048
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
165W
Diseño de Transistor
DFN
No. de Pines
5Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
132
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0038ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
165
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto