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NTMS5P02R2G
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 5.4 A, 33 mohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMS5P02R2G
No. Parte Newark61K1300
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id5.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Resistencia de Activación Rds(on)0.033ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd7.05W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Disipación de Potencia7.05
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
7.05W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
5.4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.033ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
7.05
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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