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NTR4003NT3G
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4003NT3G
No. Parte Newark27M2767
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id560mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd830mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800mV
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia830mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
560mA
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Disipación de Potencia Pd
830mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800mV
Disipación de Potencia
830mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTR4003NT3G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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