Imprimir página
NTR4502PT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
9,140 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.067 |
| 25+ | $0.067 |
| 50+ | $0.067 |
| 100+ | $0.067 |
| 250+ | $0.067 |
| 500+ | $0.067 |
| 1000+ | $0.067 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.07
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4502PT1G
No. Parte Newark10N9589
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1.95A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza NTR4502PT1G
2 productos encontrados
Resumen del producto
El NTR4502PT1G es un MOSFET de potencia de canal P que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de -30 V y una corriente de drenaje continua de -1.95A. Es adecuado para conversión de CD a CD, interruptor de carga/alimentación para portátiles y computación, placa base, portátiles, videocámaras, cámaras digitales y circuitos de carga de batería.
- Tecnología plana líder para carga de puerta baja/conmutación rápida
- Bajo RDS (ON) para bajas pérdidas de conducción
- Montaje en superficie para espacios reducidos (3 x 3mm)
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.95A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto